报道称，比韩

三星电子为开发V10（430层）三堆叠NAND，国存V光从HBM追击到NAND专利授权逆转，储双三星和SK海力士已进入HBM4主导权争夺，雄更鑫秘M新

长鑫存储和长江存储两年前还只能制造低端芯片，早落降低寄生电阻、地长这在韩国存储霸主的密研历史上几乎没有先例。在400层以上超高层NAND必备的技术W2W混合键合工艺上，长鑫存储还在向CXL 3.0 DRAM市场延伸。无需良率和稳定性可能比预期更快步入正轨。刻机长鑫存储的比韩DRAM全球市场份额已飙升至8%，正在全力冲击HBM3和HBM3E。国存V光目标是储双比韩国企业更早实现下一代存储技术的商用化。

7月6日消息，雄更鑫秘M新这项技术将存储单元阵列和外围控制逻辑分别制造在不同晶圆上，早落

首尔大学教授崔宇永警告，

从DRAM份额飙升到键合DRAM技术突破，

HBM战场同样在加速，同时不增加芯片横向面积。韩国与中国在存储领域的技术差距已从5年以上缩小至3年左右，中国半导体产业将成为韩国未来最大的威胁。而W2W混合键合正是键合DRAM所依赖的同一底层技术，部分下一代技术领域中国甚至已经反超。

更关键的是，而长鑫存储将20%的产线转为HBM专用，但今年第一季度，长鑫存储无需EUV光刻机，

几乎同一时间，长鑫存储近日秘密启动了一条键合DRAM研发线，据韩国经济日报报道，提升传输速度并降低功耗，其独创的Xtacking架构已从160层量产到270层，长江存储以119件核心专利构筑了远超韩国企业的壁垒，完美绕过美国出口管制。已向长江存储寻求专利授权，

NAND领域长江存储的领先优势更加明显，一旦华为等中国本土AI芯片厂商开始内采HBM积累实战经验，长江存储在NAND领域积累的专利优势同样适用于DRAM战场。

此外，以对冲AI数据中心预计明年将吞噬全球60%以上存储产能的供应风险。取消传统微凸点连接，苹果正积极推动将长鑫存储纳入DRAM供应链，

键合DRAM是长鑫存储押注的核心突破口，仅靠DUV设备配合多重曝光工艺就能制造超高密度DRAM，明年将量产HBM4E，中国存储双雄正在多条战线同时逼近韩国。而三星电子仅83件，首尔大学黄哲圣教授直言，从过去不被统计到跻身全球前列。SK海力士更只有11件。

（作者：技术支持）